标签归档:N沟道MOS管

MEM2302,微盟,N沟道,低电压,MOS管,场效应管

MOS配套

MEM2302系列N沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2302XG适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
特点:
20V/3A
RDS(ON)=29mΩ@VGS=4.5V,ID=3A
RDS(ON)=36mΩ@VGS=2.5V,ID=2A
超大密度单元、极小的RDS(ON))
超小封装:SOT23
应用:
电池电源管理
高速开关
低功率DC/DC转换

PDF规格书下载